我們都知道UVled在按照光波可以劃分為UVC、UVB和UVA。通常UVC在200-280nm波段內(nèi)，UVB在280-320nm波段內(nèi)，UVA在320-400nm波段內(nèi)，其實(shí)UVB和UVC這兩種波段用我們?nèi)庋凼菦]有辦法去看見的，但是很多UVC芯片會發(fā)出肉眼可見的光，并且顏色也各色不一，那么為什么UV芯片的光會有不一樣呢？下面小編來給大家簡單介紹一下吧！

目前，UVC發(fā)光二極管的主流發(fā)射波長峰值（WLP）為270nm-280nm，最大峰值為278nm，兩側(cè)逐漸減小。在長波方向，當(dāng)可見光范圍內(nèi)（紫色圓圈內(nèi)）的波長達(dá)到380 nm或以上時，仍有一定的強(qiáng)度，人眼會接收到這部分光，呈現(xiàn)出微弱的紫色光；

如果波長達(dá)到460納米（在藍(lán)色圓圈中），并且有一定的強(qiáng)度，就會出現(xiàn)微弱的藍(lán)紫色光。當(dāng)藍(lán)光強(qiáng)度接近甚至高于紫外光強(qiáng)度時，將出現(xiàn)弱藍(lán)光（1）光譜。

光譜的半高半寬主要影響UV芯片在UVA波段的發(fā)光顏色。藍(lán)光和綠光都非?？梢姟Ｗ贤饩€和紫外線是看不見的。UVA的一部分是可見光。可見光的比例對其發(fā)光顏色有很大影響。因此，UVA波段的半寬度對發(fā)射顏色的影響更為明顯。量子阱的阱寬是決定發(fā)射光譜的因素之一。阱寬的波動導(dǎo)致光譜的一半寬度。過程控制偏差可能導(dǎo)致井寬變化。溫度變化、鉬源蒸氣壓和III族元素組成等因素會導(dǎo)致生長速率的變化，從而導(dǎo)致井寬的變化。如果材料中不同位置的阱寬顯著不同，或者同一位置不同外延層的阱寬顯著不同，則會出現(xiàn)光譜半寬問題。此外，阱層摻雜和極化場也會導(dǎo)致光譜半寬問題。